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  • ゲルマニウム[Ge](p型の仕事関数)
  • 原子(の電子準位の状態数)
  • 原子拡散をメモリ等に利用できるか
  • 原子吸光分析装置のデータのばらつき
  • 現像銀は何故黒いか
  • 原子と分子(電子状態の記号)
  • コイルの中に磁石
  • コイル(磁束漏れの計算法)
  • コイル(近づけたときの磁性粒子に働く力)
  • 高圧ケーブルの劣化
  • 硬X線(軟X線とのちがい)
  • 高圧円筒容器の軸方向ののび
  • 高温における光学的性質(ステンレス)
  • 硬化則(ガラスエポキシの)
  • 光学異方性フィルム(屈折率測定)
  • 光学異方性(とスネルの法則)
  • 光学応答(金ナノロッド)
  • 光学吸収係数
  • 光学吸収端
  • 光学遷移確率の式(半導体)
  • 光学遅延変調法(ファラデー効果)
  • 光学定数
  • 光学定数(ガリウム砒素[GaAs])
  • 光学定数(磁性ガーネット)
  • 光学定数(酸化アルミニウムのnとk)
  • 光学定数(モリブデン)
  • 光学的バンドギャップ
  • 光学バンドギャップ(ダイヤモンド微結晶・アモルファスカーボン混相の)
  • 光学特性(カーボンブラック)
  • 光学薄膜(透過率)
  • 光学薄膜(反射)
  • 光学フィルタ膜をコートした水晶板
  • 光学ローパスフィルタ用
  • 合金の仕事関数
  • 工具鋼SKD11(電気抵抗率と硬度)
  • 高屈折率透明物質
  • 光子(強度相関測定)
  • 光子(と電波)
  • 光軸の見つけ方(UV-LED)
  • 鋼材(硬度測定)
  • 格子面間隔
  • 格子定数(鉄の相変態)
  • 高周波特性(超伝導体)
  • 構造色(昆虫)
  • 構造複屈折
  • 光速
  • 光速(物質中,波長依存性)
  • 高速応答性(磁気分極)
  • 光弾性定数の単位
  • 光電子分光(コヒーレント部分とインコヒーレント部分)
  • 光伝導(酸化チタンTiO2 1)
  • 光伝導(酸化チタンTiO2 2)
  • 光伝導スイッチ(とストリップラインの静電容量)
  • 光伝導スペクトル(シリコン)
  • 光伝導スペクトル(なぜ測定するのか)
  • 光伝導について
  • 光伝導の測定
  • 光電流(pn接合)
  • 硬度(γアルミナAl2O3)
  • 硬度(工具鋼SKD11の)
  • 硬度(窒化珪素)
  • 硬度(ビッカース)(窒化珪素,酸化珪素,バナジウム)
  • 硬度測定(鋼材の)
  • 光電変換材料
  • 高濃度ドープ半導体(活性化エネルギー)
  • コバールの物性値
  • 高配向性グラファイト(HOPG)の硬さ
  • 高比透磁率材料(厚さと磁気飽和、飽和磁束密度の関係)
  • 降伏応力(クロム)
  • 降伏応力(ニッケル)
  • 鉱物の発光(温度依存性)
  • 高分子の異方性(延伸した・・)
  • 高分子材料(電気伝導の界面支配とバルク支配)
  • 黒鉛(ダイヤモンドとの色のちがい)
  • 黒鉛(グラファイト:加工粉について)
  • 黒色(塗料)
  • 五酸化タンタル[Ta2O3](ヤング率)
  • 固相接合(銀)
  • 子ども科学教室の説明(紙おむつ、バネ電話、簡単モータ)
  • コバール(と78パーマロイのシート抵抗)
  • コバルト(αとβ)
  • コバルト・クロム膜(イオン照射した膜のMsとTcの変化)
  • コバルト,鉄,ニッケル(なぜ磁石の材料になる)
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  • コヒーレンス長(太陽光の)
  • ゴム(カーボン粒子を含む)の誘電損失
  • 固有振動数(鉄の)
  • 固有振動モード(アンモニア)
  • コランダム(ヤング率の温度依存性)
  • コロイド結晶の作製(電気泳動法による)
  • 混合攪拌時にホイップクリーム状になる理由
  • 質問#1125(混合攪拌時にホイップクリーム状になる理由)へのコメント
  • 混相のX線回折
  • 昆虫(構造色)
  • コンデンサ(誘電体を含む)
  • サ行

  • 細線に大きな電流を流すと切れるわけ
  • サイズモ式ピックアップ
  • 差動形固定検光子法(磁気光学効果測定)
  • さびる(金属)
  • サファイア(エッチャント)
  • サファイア(850℃までの高温特性)
  • サファイア(単結晶のX線回折)
  • サファイヤ板(複屈折)
  • サファイアガラス
  • サブバンド間(プラズモン)
  • 酸化亜鉛[ZnO](圧電性)
  • 酸化亜鉛(ZnO)(A励起子)
  • 酸化亜鉛[ZnO](n型の起源)
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  • 酸化亜鉛[LIF法によるPLD過程の解析]
  • 酸化亜鉛[ZnO](赤外吸収)
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  • 酸化亜鉛[ZnO](薄膜の応用性)
  • 酸化亜鉛[ZnO](フォトルミネッセンス)
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  • 酸化チタン粉末(熱処理による色の変化)
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  • 酸化物半導体(酸素空孔がドナーになる理由)
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  • 3dx2-y2、3dz2軌道の名前の由来
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  • CDの虹色
  • CIS太陽電池におけるCdSの役割
  • CRS1010(比透磁率)
  • CVDと真空
  • CVDラジカルの平均自由行程
  • CVD膜のエリプソメトリ
  • シート抵抗
  • シート抵抗(透過率との関係)
  • シート抵抗(ITO/PET基板の酸による劣化の評価に使うわけ)
  • シート抵抗(コバールとパーマロイ)
  • シェラーの式について
  • 塩の結晶と不純物
  • 「塩の結晶と不純物」へのコメント
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  • 磁化率の温度変化(二次元正方格子)
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  • 質問#1129「磁界中での化学反応」へのコメント
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  • 磁気(電気分極に対応する概念はあるか)
  • 磁気異方性[鉄単結晶]の図の出典
  • 磁気インピーダンス(MI)効果
  • 磁気エネルギー(カーボンナノチューブ)
  • 磁気光学効果(TiO2の)
  • 1377.磁気光学入門第4回への質問
  • 磁気光学効果(磁場の効果)
  • 磁気光学効果(測定)
  • 磁気光学効果測定(差動形固定検光子法)
  • 磁気光学測定(PEMを用いた測定における楕円率の膜厚依存性
  • 磁気光学効果の測定
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  • 磁気光学スペクトル(光入射方向依存性:磁性ガーネット)
  • 磁気テープの層厚と入出力特性
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  • 仕事関数(ITO)
  • 仕事関数(アルミニウム合金)
  • 仕事関数(合金の)
  • 仕事関数(制御)
  • 仕事関数(金属薄膜;膜厚依存性)
  • 仕事関数(タンタルの)
  • 仕事関数(ニオブ酸リチウム(LiNbO3), タンタル酸リチウム(LiTaO3))
  • 仕事関数(p型ゲルマニウムの)
  • 磁石にかかる力
  • 磁石の材料(ニッケル,コバルト,鉄はなぜ)
  • 磁心材料の具備条件
  • 質量(空気と水の)
  • 磁性(無電解めっきニッケル・リン膜の)
  • 磁性ガーネット(エリプソメトリで測定した屈折率の磁界依存性)
  • 磁性ガーネット(光学定数)
  • 磁性ガーネット(磁気光学スペクトルの光入射方向依存性)
  • 磁性材料(相転移)
  • 磁性材料(身近にある)
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  • 磁性薄膜の光学測定
  • 磁性薄膜製膜時の飽和磁化モニター(縦カー効果)
  • 磁性半導体(最近の話題)
  • 磁性微粒子の高周波特性
  • 磁性フォトニック結晶1
  • 磁性フォトニック結晶2
  • 磁性フォトニック結晶における光局在
  • 磁性粒子に働く力(コイルを近づけたときの)
  • 自然光学活性
  • 自然酸化膜につて
  • 磁束漏れの計算法(コイル)
  • 磁場(電磁波中の)
  • 磁場(ルミネセンス)
  • 至適濃度(吸光度測定のための)
  • 磁壁(ピニング効果)
  • 1/4波長板の偏光状態
  • シマウマの皮膚の導電率と誘電率
  • シャボン玉の物理
  • シャフトの輸送中の磁化
  • 自由励起子発現の機構(酸化亜鉛[ZnO])
  • 10円銅貨の汚れ落とし
  • 重金属の汗への排出
  • 樹脂(蛍光)
  • 16進数
  • 周波数分散(誘電率)
  • 周波数分散(有機溶媒の誘電率;)
  • 樹脂封止での金属の強度
  • 酒石酸単結晶
  • シュブニコフ・ドハース(SdH)振動
  • 縮退半導体の静電遮蔽効果
  • 縮退半導体は光るか
  • 樹脂の難燃剤
  • 樹脂封止での金属の強度
  • 準定常電流近似と変位電流
  • 順方向電流-電圧特性(pn 接合ダイオード)
  • ショアーの硬さ
  • ショアー硬度(モース硬度を換算出来るか)
  • 状態図(Ti-Ni形状記憶合金)
  • 状態図(焼結法と)
  • 焼結体のEPMA分析
  • 焼結体の粒径(モリブデン)
  • 焼結法(と状態図)
  • 消光係数
  • 消光係数(仮想屈折率法における負の)
  • 消光係数(シリコン)
  • 消光係数の温度依存性(シリコン、波長1310nmにおける)
  • 消光係数の意味
  • 蒸着(母材と金属の密着メカニズム)
  • 焼鈍材と圧延材(Al)
  • 消滅則(X線回折)
  • 食品安全性(18-8ステンレス)
  • ショットキー障壁を作る金属
  • ショットキー障壁高さ(ボイドの影響)
  • ショットキーダイオードのI-V特性
  • ショットキーダイオード(金/シリコン)
  • ショットキーダイオード(Pd/Ge)
  • ショットキーダイオード(P形半導体の)
  • 金属の種類とショットキー接合
  • シリカ(エネルギー準位図)
  • シリカガラスの赤外屈折率
  • シリコーン(気体透過性)
  • シリコーンオイル(DSC曲線の解釈)
  • シリコーンゴムの屈折率分散
  • シリコーンゴムの耐腐蝕性
  • シリコン・アルミニウム[Si-Al]コンタクト
  • シリコン・ウェハー(PN反転、抵抗値)
  • シリコン(インゴットのρb値の計算法)
  • シリコン(ウェハーの赤外線スペクトル)
  • シリコン(硬さ)
  • シリコン(基板上の金属膜の加熱)
  • シリコン(屈折率)
  • シリコン(屈折率と消光係数)
  • シリコン(形態の違うSiの物性値)
  • シリコン(結晶とアモルファスの活性化エネルギー)
  • シリコン(結晶成長の方位依存性他)
  • シリコン(研削粉のpn分離)
  • シリコン(研磨発生時の物質の処理)
  • シリコン(光伝導スペクトル)
  • シリコン(純度)
  • シリコン(1000℃における物性値)
  • シリコンの量(太陽電池作製に必要な)
  • シリコン(直接バンドギャップ)
  • シリコン(ドーピングによって色は変わるか)
  • シリコン[Si](単結晶の線膨張係数)
  • シリコン(化学処理後の高濃度ドープシリコンに見られる不動態膜)
  • シリコンと石英ガラス(破壊靱性度)
  • シリコン[Si](Si/SiO2/air構造における発光の反射)
  • シリコン(光の吸収係数)
  • シリコン(高温における比抵抗)
  • シリコン(と同等の熱膨張をもつ金属)
  • シリコン(熱酸化膜形成によるシリコンの消費)
  • シリコン(酸化厚膜の用途)
  • シリコン(ドーピング)
  • シリコン(マイクロ波誘電率と誘電損失)
  • シリコン(曲げ応力)
  • シリコン(ヤング率の温度依存性)
  • シリコン(誘電関数)
  • シリコン(ラマン散乱)
  • シリコン(ランプ加熱)1
  • シリコン(ランプ加熱)2
  • シリコンウェハ(ランプ加熱)
  • シリコンウェハー(光透過)
  • シリコン/アルミニウム(I-V特性)
  • シリコンナノドットの発光寿命
  • じりじり感(1312. 太陽光線の)
  • シロキサンの吸着率(金属・樹脂に対する)
  • シロキサン(水への溶解度)
  • 磁歪について
  • 真空蒸着中の真空度低下
  • 真空蒸着の最適蒸着速度
  • 真空中での水の凝固
  • 真空にするわけ
  • 真空の耐電圧
  • 真空の導電率
  • 真性半導体(活性化エネルギー)
  • 伸縮性(ポリブタジエン)
  • 靱性(溶接影響部)
  • シンチレーションカウンタ用のオプティカルセメント
  • 真鍮(結晶構造)
  • 真鍮板(反り)
  • 真鍮(密度)
  • 侵入長(半導体への励起光の)
  • 侵入長の波長依存性(光・X線)
  • 侵入深さ(X線)
  • スイッチ部材(ステンレスの導入)
  • 水晶(厚み測定:屈折率による)
  • 水晶(剪断弾性係数)
  • 水蒸気の比誘電率
  • 水素吸蔵メカニズム(金属)
  • 水素焼鈍(パーマロイの)
  • 水中の電波伝搬
  • 垂直反射の位相の式
  • 水分センサ(土壌)
  • スズの高温でのふるまい
  • スチール缶
  • スチール缶とアルミ缶
  • ステンドグラスの色(プラズモン電場増強効果)
  • ステンレス(屈折率)
  • 「ステンレスの屈折率」へのコメント
  • ステンレス(高温における光学的性質)
  • ステンレス(18-8)(食品安全性)
  • ステンレス(スイッチ部材への導入)
  • ステンレス(酸化スケールの剥離と腐食)
  • ステンレス(線膨張係数)
  • ステンレス(低温特性)
  • ステンレス(なぜ磁石につかないか)
  • ステンレス(不動態の抵抗)
  • ステンレス(反射率の温度変化)
  • ステンレス(琺瑯)
  • ステンレス(マルテンサイト量の評価)
  • ステンレス鋼(耐酸性)
  • ステンレス鋼(オーステナイトの脆性)
  • ステンレス(SUS316の熱膨張)
  • ステンレス材(SUS321溶接後の磁化)
  • ステンレス(SUS404の物性値)
  • ステンレス鋼(焼け)
  • ステンレス球(酸化方法)
  • ストークスパラメータ(S3の符号)
  • ストリップラインの静電容量(光伝導スイッチ)
  • ストロンチウムフェライトの物性値
  • スーパーボールがドアの動きを止める
  • スネルの法則(光学異方性と)
  • スパッタクロム膜の最適膜厚
  • スパッタ(装置の電源の極性)
  • スパッタ(成膜速度とガス圧の関係)
  • スパッタ膜(Fe)
  • スピネルフェライト
  • スピン演算子の固有値問題
  • スピン注入(メカニズム)
  • スピン偏極(光学的測定)
  • スピンギャップ
  • スピン依存平均自由行程
  • スピン流(非局所配置)
  • スペクトル幅(レーザ高調波)
  • スペクトル幅(干渉縞)
  • 正スピネルか逆スピネルか(ZnMn2O4)
  • 制振メカニズム
  • 脆性(オーステナイトステンレス鋼)
  • 青銅の相と光学的性質
  • 石英ガラス(シリコンの破壊靱性度)
  • 石英ガラス(耐薬品性)
  • 石英ガラス(緑色発光)
  • 石英セル(分光光度計用)
  • 石英の蛍光
  • 石英ファイバーとシリカファイバーの違い
  • 石英ファイバーの赤外吸収特性
  • 赤外光物性(金属微粒子)
  • 赤外透過光学材料
  • 赤外透過率(を用いたガス濃度定量)
  • 赤外吸収(酸化亜鉛ZnO)
  • 赤外吸収(石英ファイバー)
  • 赤外吸収とラマン散乱(反転対称のある系)
  • 赤外吸収(プラスチック)
  • 赤外透過率(カーボンの)
  • 赤外分光特性(豚レバー)
  • 赤外特性(ガラスの)
  • 赤外線スペクトル(シリコンウェハーの)
  • 赤外線用光チョッパー
  • 赤外線透過材料(人体からの)
  • 赤外透過光学材料
  • 脆性材料(延性モードでの切削)
  • 整流作用
  • 絶縁耐圧(エポキシ樹脂)
  • 接合(銅とアルミナ基板の)
  • 接合(ダイヤモンドとアルミナ)
  • 接触角(水滴;表面モルフォロジー依存性)
  • 接触電位差(金属)
  • 接触電位差(異種金属の)
  • 接地用のSUS板
  • 絶縁性(誘電体)
  • 絶縁体(光吸収)
  • 絶縁体(バンドギャップ)
  • 接着(物質の)
  • セナルモン法の数式による説明
  • セラミクス(マイクロ波焼結)
  • セラミクス(スパッタ成膜速度とガス圧の関係)
  • セラミックス(発光)
  • セラミック(マイクロ波透過)
  • セラミックス(誘電率の温度依存性)
  • 閃亜鉛鉱型GaNの熱膨張係数
  • 旋光性(トレハロースの立体構造)
  • 旋光性(磁気異方性物質)
  • 遷移金属(貴金属との電気抵抗の違い)
  • 遷移金属錯体(磁化率への軌道角運動量の寄与)
  • 選択エッチング(Mn5Ge3)
  • 選択的光吸収材
  • 剪断弾性係数(水晶)
  • 全反射と金属の反射のちがい
  • 線膨張係数(アルミニウム)
  • 線膨張係数(温度変化)
  • 線膨張係数(シリコン単結晶)
  • 線膨張係数(ステンレス)
  • 全微分を偏微分を使って表す式
  • 相図の見方
  • 相転移温度(HoFeO3)
  • 相転移と光学的性質の変化(二酸化バナジウム)
  • 相変態(鉄)
  • 相変態について
  • 束縛励起子(束縛する力)
  • ソフトフォノン
  • ソーラーパネル(発光するか)
  • タ行

  • 耐食性(タンタルとPTFEの比較)
  • ダイヤモンド(応力誘起直接遷移)
  • ダイヤモンド(アルミナとの接合)
  • ダイヤモンド(加熱ATRの高温特性)
  • ダイヤモンド(結晶末端の価電子状態)
  • ダイヤモンド(グラファイトとの違い)
  • ダイヤモンド(とグラファイトの熱伝導)
  • ダイヤモンド(黒鉛との色のちがい)
  • ダイヤモンド(点欠陥の活性化エネルギー)
  • ダイヤモンド(微結晶・アモルファスカーボン混相の光学バンドギャップ)
  • ダイヤモンド(熱膨張係数)
  • ダイヤモンド(光の屈折と輝き)
  • ダイヤモンド(光の浸入長, バンドギャップ以下の)
  • 耐酸性(ステンレス鋼)
  • 耐電圧(真空の)
  • 帯電(テフロン)
  • 帯電(酸素プラズマ中の石英の)
  • 太陽電池(アモルファス,pin構造)
  • 太陽電池(CISセルにおけるCdSの役割)
  • 太陽電池(温度上昇による効率低下)
  • 太陽電池(作製に必要なシリコンの量)
  • 太陽電池(材料に関する質問)
  • 太陽電池(色素増感)
  • 太陽電池(低温特性)
  • 太陽電池(パネル)
  • 太陽電池(分光感度の光バイアス依存性: 薄膜シリコン)
  • 太陽電池(理論的最大変換効率の導出法)
  • 太陽電池設計(光生成キャリアの計測)
  • 太陽電池の本
  • 太陽光のコヒーレンス長
  • 太陽光発電パネル(地デジ受信に影響するか)
  • 太陽光パネル(反射)
  • 楕円率の膜厚依存性(PEMを用いた磁気光学測定における)
  • 多結晶シリコンの抵抗率のばらつき
  • 1035. 「多元合金」の英訳
  • 多重反射と干渉(薄膜の反射率)
  • 多重干渉(吸収性物質における)
  • 多重干渉(屈折率分散、粗表面を伴う)
  • 縦カー効果(磁性薄膜製膜時の飽和磁化モニターに使えるか)
  • 縦カー効果(PEMを用いた測定のセットアップ)
  • 弾性定数の温度変化(クロム)
  • 弾性定数(数値計算)
  • 炭化チタンTiC(格子定数)
  • 炭化チタンTiC(組成比と格子定数)
  • タングステン(複素屈折率)
  • 単結晶と多結晶(強磁性体の磁化)
  • 単元素金属(結晶構造の起源)
  • 炭酸ガス(CO2)レーザ集塵(アクリル回収率)
  • 炭素(蒸気に侵される訳)
  • 炭素の性質
  • 炭素の加熱(電子レンジによる)
  • 炭素の加熱(マイクロ波加熱)
  • 「炭素のマイクロ波加熱」(Q179)への質問
  • 炭素の物性値(グラファイトカーボン)
  • 炭素鋼(熱膨張係数)
  • 1276. 炭素繊維の比誘電率と比透磁率
  • 炭素繊維複合材料の透磁率
  • 炭素繊維(繊維方向に垂直の物性値)
  • 炭素粒子(カーボン粒子を含むゴムの誘電損失)
  • 単層カーボンナノチューブ(磁気光学特性)
  • 断線(電子部品の硫化による)
  • 田んぼのひび割れ
  • タンタルとPTFE(耐食性の比較)
  • タンタルの仕事関数
  • Ta2O5薄膜
  • タンタル酸リチウム(仕事関数)
  • 縦波弾性率とヤング率
  • 弾性(酸化珪素[SiO2]の)
  • 弾性係数(塩化ビニール)
  • 弾性係数測定の誤差
  • 断熱性(ウェットスーツのコア素材)
  • 断熱消磁冷却(電場バージョンはあるか)
  • 窒化ガリウム[GaN](抵抗率の基板による違い)
  • 質問#1061「窒化ガリウム(GaN)の抵抗率の基板による違い」へのコメント
  • 窒化ガリウム[GaN](放射率)
  • 窒化ガリウム[GaN](ヤング率)
  • 窒化ガリウム[GaN](p型, オーム性接触)
  • 窒化ガリウム[GaN](Mgドープ)
  • 窒化珪素(硬度)
  • 窒化珪素,酸化珪素,バナジウム(ビッカース硬度)
  • 窒化珪素(合成法)
  • Ti-Ni形状記憶合金(状態図)
  • チタンの拡散係数(アルミニウム中の)
  • チタンの屈折率
  • チタンの複素屈折率
  • チタンカーバイドTiC(格子定数)
  • チタン・クロム・アンチモン系の顔料
  • チタン酸バリウム[BaTiO3](多結晶の比誘電率)
  • チタン酸バリウム(薄膜研究の意義)
  • チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム(バンドギャップ)
  • チタン酸バリウムストロンチウム((Ba0.7Sr0.3)TiO3)(ヤング率、ポアソン比)
  • 着色(ITOの熱処理による)
  • チャンバークリーニング(プラズマCVD)
  • 柱状構造(薄膜の)
  • 中赤外(金属の反射)
  • 中炭素鋼(熱膨張係数)
  • 超音波の速度
  • 超音波反射率(シリコン)、
  • 超硬合金の英訳
  • 超伝導ギャップとスピンギャップ
  • 超伝導体(高周波特性)
  • 超伝導(磁気分離技術)
  • 超伝導体の浮上
  • 直接バンドギャップ(シリコン)
  • 通電性(無機材料の)
  • DSC曲線(シリコーンオイル)
  • DVD-RAM記録層はAFMで観察できるか
  • DVD-RAM材料の結晶工学
  • データのばらつき(熱電対による温度測定)
  • TEM波(導波管にを入射するとどうなるか)
  • TEM 波と静電磁界
  • TMR(MgOをトンネル障壁に使うとTMRが増大する理由)
  • 低温特性(ステンレス)
  • 低温特性(太陽電池)
  • 抵抗率(グラファイトの)
  • 抵抗率(銅の液体ヘリウム温度における)
  • 鉄[Fe](固有振動数)
  • 鉄[Fe](相変態)
  • 鉄[Fe], ニッケル[Ni], コバルト[Co](なぜ磁石の材料になる)
  • 鉄[Fe](磁石の導電性)
  • 鉄[Fe](スパッタ膜)
  • 鉄[Fe](バルクと薄膜の磁化の差異)て
  • 鉄-アルミ[Fe-Al](金属間化合物の物性値)
  • 鉄2アルミ5[Fe2Al5](金属間化合物の磁気特性)
  • 鉄-アルミ[Fe-Al](合金の結晶構造)
  • 鉄(InPを半絶縁性にするわけ)
  • 鉄単結晶[磁気異方性の図の出典]
  • 鉄と酸化鉄(比透磁率)
  • 鉄ニッケル[Fe-Ni]合金の飽和磁束密度
  • 鉄[Fe]・銅[Cu]・真鍮[Cu-Zn]の密度
  • 鉄心材料
  • デバイ温度(1次元格子)
  • デバイ温度(と結合力)
  • デバイ温度(と物理量の関係)
  • テフロンの帯電
  • 凾d効果(強磁性体のヤング率Eの低下)
  • テルル化カドミウム(CdTe)の電析について
  • テルル化ビスマス(Bi2Te3)の誘電率
  • テルル化ビスマス(屈折率と硬度)
  • 電荷移動による光吸収構造(ZnS:Cu2+
  • 電荷移動型吸収(バンドギャップの求め方)
  • 電界によるバンド間励起
  • 電気泳動法によるコロイド結晶の作製
  • 電気化学発光(ECL)(局所表面プラズモン共鳴(LSPR)による増強)
  • 電気抵抗熱劣化(焼結金属材料)
  • 電気分解電圧(アンモニウム)
  • 電気分極(磁気に対応する概念はあるか)
  • 電源電圧の作り方によるトランス出力の違い
  • 電気抵抗(貴金属と遷移金属の違い)
  • 電気抵抗(温度係数測定の実験データ処理)
  • 電気抵抗の低温における温度依存性(白金(Pt))
  • 電気伝導の温度変化(金属と半導体)
  • 電気伝導度(バンドの広さとの関係)
  • 点欠陥の活性化エネルギー(グラファイトとダイヤモンド)
  • 点電荷(運動する点電荷の式の金属中に適用)
  • 電子緩和(バンド励起後の)
  • 電子状態の記号(原子と分子)
  • 電子レンジ(円筒型)
  • 電子レンジ(炭素の加熱)
  • 電子レンジ(水の加熱の原理)
  • 電磁波エネルギー収支(誘電体内部での)
  • 電磁波による非破壊検査
  • 電磁波遮蔽効果(比誘電率・比透磁率との関係性)
  • 電磁シールドにゴムは使えるか
  • 電析膜の吸収
  • 電析膜の光学的バンドギャップ
  • 電波(光子とのちがい)
  • 電波透過性(プラスチックの)
  • 電磁界解析(金属)
  • 電磁界センサー(金の判別)
  • 電磁制動(渦電流による)
  • 電磁石(先端をしぼった)からの磁場
  • 電磁誘導と磁石
  • 電磁波の電界測定
  • 電磁波中の磁場
  • 電磁波(プラズモンの結合)
  • 電磁誘導の起源(なぜコイルの中に磁石を入れるだけで、電気が生じるのですか)
  • 電波伝搬(水中の)
  • 電磁波発生(電場変調による金属探針からの)
  • 伝熱面積(熱交換器)
  • 電場増強効果(プラズモン)
  • 電流導入端子(金属の異常蒸発)
  • 電気を流しにくい物質
  • 銅とアルミナ基板の接合
  • 銅とエポキシ(比誘電率と比透磁率)
  • 銅の抵抗率(液体ヘリウム温度における)
  • 透過(X線と光)
  • 透過性(ITO,可視光)
  • 透過性(赤外線とX線の)
  • 透過率(アクリルの可視光での)
  • 透過率(カーボン、赤外)
  • 透過率(光学薄膜)
  • 透過率とシート抵抗
  • ドーピング(シリコンの色は変わるか)
  • ドーピング(シリコンへの)
  • ドーピング(半導体, ラマンスペクトル)
  • ドーピング(La-BaZrO3)
  • 透湿性(プラスチック)
  • 透磁率(強磁性体)
  • 透磁率(炭素繊維複合材料)
  • 透磁率(骨)
  • 透明磁性体
  • 透磁率が1でない物質の誘電率測定
  • 塗料の白色・黒色
  • 導電体(基板との密着性)
  • 導電率(真空の)
  • 土壌(水分センサ)
  • トランジスタの破壊(逆バイアスでの)
  • トランジスタ(ゲート制御型)
  • トランジスタの電流増幅の仕組み
  • ドルーデ則(金属の色)
  • ドルーデの式(定数項)
  • トレハロースの立体構造と旋光性
  • トンボの眼の紫外線視感度
  • ナ行

  • ナイロン(黄変)
  • ナイロン製品(液体燃料にリサイクルできるか)
  • ナトリウムターシャルプトキサイドの物性
  • 斜めギザギザ構造(からの反射光の色)
  • 斜め入射の反射(複素数の屈折角)
  • 斜め入射反射(金属、反射光の色味)
  • 斜め入射の反射(プリズムから金への)
  • 斜め入射反射率(PMMA)
  • 斜め入射反射(位相の飛び)
  • ナノ結晶シリコン(発光メカニズム)
  • ナノスケール・シリコン(誘電率)
  • ナノ粒子の液相分離
  • ナノ粒子の光反射
  • ナノ粒子の堆積(電圧印加による)
  • ナノ領域(物性値の適用限界)
  • ナノロッド(金, 光学応答)
  • 鉛の密度
  • 鉛フリーハンダ(ヤング)
  • 鉛フリーはんだAuSn4のヤング率
  • 軟X線(硬X線とのちがい)
  • 軟鋼(表面張力)
  • 軟鋼(物性値)
  • 難燃剤(樹脂の)
  • におい(金属の)
  • ニオブ酸リチウムの物性値
  • ニオブ酸リチウム(仕事関数)
  • 2光子吸収(二次非線形分極率との関係)
  • 2光子吸収(減衰率)
  • 二酸化炭素の自然界での分解
  • 二酸化珪素と炭素の誘電率
  • 二酸化バナジウム(相転移と光学的性質の変化)
  • 二次元正方格子(磁化率の温度変化)
  • 二色性偏光子について
  • ニッケル(降伏応力)
  • ニッケル(透磁率の周波数特性)
  • ニッケル亜鉛フェライト(飽和磁化)
  • ニッケル,コバルト,鉄(なぜ磁石の材料になる)
  • ニッケル酸化膜の用途
  • ニッケルメッキの酸化
  • ニッケル・リン(無電解めっき膜の磁性)
  • 尿素(アルミニウム容器での保存)
  • ぬれ上がり(半田)
  • 濡れ性
  • 濡れ性変化(貴金属上の水滴の)
  • ぬれた石はなぜ黒い
  • ぬれた砂が黒いわけ
  • ネオジム磁石(アルミニウム板上での運動)
  • 熱間押出アルミニウム(スジ状欠陥の色の見え方)
  • 熱交換器伝熱面積
  • 熱サイクル(ハンダの物性変化)
  • 熱収縮
  • 熱処理による色の変化(酸化チタン粉末)
  • 熱設計(ハイブリッドIC)
  • 熱線遮断塗料
  • 熱線遮断塗料(ATO, CeB6を用いた)
  • 熱測定の際のダミーの選定基準
  • 熱抵抗について
  • 熱電効果について
  • 熱電効果の論文の式の意味
  • 熱電対による温度測定(データのばらつき)
  • 熱伝導(ダイヤモンドとグラファイトの)
  • 熱伝導と誘電率
  • 熱伝導率
  • 熱伝導率と熱膨張係数(銀950)
  • 熱伝導率(アクリルの)
  • 熱伝導率測定(アルミニウムの)
  • 熱伝導率(エポキシ)
  • 熱伝導率(黄銅,温度係数)
  • 熱伝導率(金属薄膜)
  • 熱伝導率(ポリロンフィルム)
  • 熱伝導率(ろう材)
  • 熱伝導性のよいポリエポキシのエステル糸
  • 熱膨張係数
  • 熱膨張係数(アクリルの)
  • 熱膨張係数(空気の)
  • 熱膨張係数(金属の)
  • 熱膨張係数(CrとITOの)
  • 熱膨張係数(金属酸化物薄膜)
  • 熱膨張係数(ステンレスSUS316の)
  • 熱膨張係数(閃亜鉛鉱型GaN)
  • 熱膨張係数(ダイヤモンドの)
  • 熱膨張係数(中炭素鋼)
  • 熱膨張係数(粉末試料の)
  • 熱膨張(鉄、アルミ、ステンレスの)
  • 熱膨張(シリコンと同等の熱膨張をもつ金属)
  • 熱輸送(エアロゲル)
  • 燃焼管(内で使えるミラー材料)
  • 粘性係数(金属の)
  • 粘性の温度変化(水の)
  • 粘度(液化二酸化炭素の)
  • 濃度(誘電率との相関)
  • ノルトハイムの法則
  • ハ行

  • BaFe12-2xCoxTixO19(磁気物性)
  • バイオセンサー(表面プラズモン共鳴)
  • 配管リーク(の許容値)
  • ハイブリッドICの熱設計
  • ハイパーラマン散乱(水の配向とフォノンの関係)
  • パイプコイル(加振試験)
  • バイポーラトランジスタのhFE(=Ic/Ib)の温度依存性
  • 配向性
  • 破壊靱性度(シリコンと石英ガラスの)
  • はがね[鋼]撚り線の引っ張り強度
  • 白金黒
  • 白金[Pt](なぜ自由電子の散乱寿命は短いのか)
  • 白金(Pt)(電気抵抗の低温における温度依存性)
  • 白色
  • 白色LEDについて
  • 白色で近赤外吸収のある酸化物
  • 薄膜干渉色除去(ウェーハの)
  • 薄膜(吸収)
  • 薄膜(磁性薄膜の光学測定)
  • 薄膜(反射率)
  • 薄膜シリコン太陽電池(分光感度の光バイアス依存性)
  • 蛍光(石英)
  • 発光(石英ガラス:緑色)
  • 発光(セラミックス)
  • 発光するか(ソーラーパネル)
  • 発光(励起子)
  • 発光スペクトル(温度依存性のない)
  • 発光(の温度依存性:鉱物)
  • 発光ダイオード(LED)(発光の原理)
  • 発光メカニズム(ナノ結晶シリコン)
  • 波長板(偏光状態)
  • 発電の原理
  • 発熱効果(光照射)
  • 波動性(光)
  • バーチ・マーナガン(Birch-Murnaghan) の状態方程式
  • ハーフメタル
  • バネ電話(子ども科学教室の説明)
  • パーマロイ(コバールのシート抵抗)
  • パーマロイ(水素焼鈍)
  • パラジウムの表面の曇り
  • bulk thermal conductivity(日本語訳)
  • パルスレーザ堆積(PLD)過程[酸化亜鉛;レーザ誘起蛍光(LIF)法による解析]
  • パワーMOSのGate容量の温度特性について
  • パワー半導体(伝導度変調)
  • 反強磁性体(磁気光学効果)
  • 反磁性(磁化率)
  • 反射(位相のずれ)
  • 反射(斜め入射,位相の飛び)
  • 反射の偏光性(粗さのある金属表面)
  • 反射(円偏光)
  • 反射(拡散)
  • 反射(金属微粒子)
  • 反射(金属,ZnとAl)
  • 反射(金属、中赤外)
  • 反射(Si/SiO2/air構造におけるSi発光の)
  • 反射(光学薄膜)
  • 反射(垂直入射:位相の式)
  • 反射(太陽光パネル)
  • 反射(斜め入射:プリズムから金への)
  • 反射(ぬれた石)
  • 反射(路面)(近赤外線)
  • 反射光の色(斜めギザギザ構造からの)
  • 反射スペクトル(と屈折率)
  • 反射防止(モスアイ構造による)
  • 反射率(ITO, キャリア密度と)
  • 反射率(アルミニウム)
  • 反射率(アルミニウム、高い反射率の原因)
  • 反射率(アルミニウム、反射率のディップ)
  • 反射率(アルミニウム、UV)
  • 反射率(アルミニウム,入射角による変化)
  • 反射率(温度変化、金属)
  • 反射率(吸収が強いときの)
  • 反射率(金属)
  • 反射率(金、銀、Ni、Al、Cu)
  • 反射率(金属,斜め入射)
  • 反射率(銀の340nmに見られるの低下)
  • 空気/金/ガラスの反射率
  • 反射率(シリコンウェハー、斜め)
  • 反射率(金属の表面粗さとの関係)
  • 反射率(振幅反射率とエネルギー反射率)
  • 反射率(の温度変化;ステンレス)
  • 反射率(多層膜)
  • 反射率(薄膜)
  • 反射率(宝飾用合金)
  • 反射率(マンセル明度と)
  • 反射率(モリブデン)
  • 反射率測定(裏面反射防止)
  • 半絶縁性GaAsの電流電圧特性
  • 半絶縁性(InP中の鉄)
  • ハンダ付け(金線への)
  • ハンダ(熱サイクルによる物性変化)
  • ハンダ(生じる金属間化合物の融点)
  • 半田メッキ
  • 半田メッキ端子(金メッキ端子との接続部)
  • 半田(ぬれ上がり)
  • 半田の高さ
  • 半田(融点における抵抗率変化)
  • パンチスルー現象
  • 反転対称のある系(赤外吸収とラマン散乱)
  • 半導体(温度変化キャリア密度の温度変化)
  • 半導体(活性化エネルギー;高濃度ドープ)
  • 半導体(光学現象の量子力学)
  • 半導体(光学遷移確率の式)
  • 半導体(ドーピングとラマンスペクトル)
  • 半導体(非線形電流電圧特性)
  • 半導体(フェルミ準位はなぜ禁制帯の真ん中に来るか)
  • 半導体(誘電率)
  • 半導体(励起光の侵入長)
  • 半導体の実験についての質問
  • 半導体素子(温度依存性)
  • 半導体金属複合材料の光吸収
  • 半導体プロセス(異物付着)
  • 半導体レーザ(電流−光強度特性)
  • バンドの広さ(電気伝導度との関係)
  • バンド間遷移(金属のプラズモンとの関係)
  • バンド間励起(電界による)
  • バンドギャップ(温度依存性)
  • バンドギャップ(GaAs, GaP)
  • バンドギャップ(シリコン直接)
  • バンドギャップ(絶縁体)
  • バンドギャップ(チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム)
  • バンドギャップ(電荷移動型吸収における)
  • バンドギャップ(フラーレンポリマー)
  • バンドギャップ(密度汎関数理論と)
  • バンドギャップ推定(励起子吸収がある場合)
  • バンド理論について
  • バンド励起後の電子緩和
  • 反応性(金属表面)
  • 半波長板
  • 反発係数(硬さと)
  • 反発係数の算出
  • PEMを用いた磁気光学測定における楕円率の膜厚依存性
  • PLD過程[酸化亜鉛;レーザ誘起蛍光(LIF)法による解析]
  • PMMAの吸光係数
  • PMMAへの金属薄膜の成膜について
  • PMNZT(MOD成膜)の表面モルホロジー
  • pn接合(拡散電位; 電池として利用できるか)
  • pn接合(光電流)
  • pn 接合ダイオード(順方向電流-電圧特性)
  • pnダイオードの抵抗制限電流領域
  • p形半導体(キャリア密度の温度変化)
  • 砒化ガリウム[GaAs](電子線励起プラズマの光学的観察)
  • 比透磁率(鉄と酸化鉄)
  • p型GaN(オーム性接触)
  • PZTのエッチャント
  • PZT(MPB(相境界)の結晶構造と物性)
  • PTFEとタンタル(耐食性の比較)
  • 光(光子と電波)
  • 光(光伝導)
  • 光(波動性と粒子性)
  • 光起電力(円二色性)
  • 光吸収(汗の分析は可能か)
  • 光吸収(金属内の)
  • 光吸収(金属による)
  • 光吸収(とキャリア生成)
  • 光吸収(絶縁体)
  • 光吸収(熱発生)
  • 光吸収(薄膜)
  • 光吸収(半導体金属複合材料)
  • 光吸収係数(亜鉛)
  • 光生成キャリアの計測(太陽電池設計に役立つ理由)
  • 光のエネルギーの吸収・損失
  • 光の屈折
  • 光の屈折の法則(空間の一様性)
  • 光の屈折(とダイヤモンドの輝き)
  • 光散乱と回折
  • 光散乱と微粒子のサイズ
  • 光散乱と吸収
  • 光触媒
  • 光触媒について
  • 光照射(発熱効果)
  • 光の浸入長(ダイヤモンド, バンドギャップ以下の)
  • 光測定(磁性薄膜)
  • 光チョッパー(赤外線用)
  • 光透過(シリコンウェハー)
  • 光の伝搬(誘電体中の)
  • 光の伝播(異方性結晶中の)
  • 光反射(ナノ粒子の)
  • 光の伝搬
  • 光の分散と群速度
  • 「光と磁気」(質問1)
  • 「光と磁気」(質問2)
  • 「光と磁気」(質問3)
  • 「光と磁気」(質問4)(プラズマエンハンスメントについて)
  • 「光と磁気」への質問5(誤植の指摘)
  • 「光と磁気(改訂版第1刷)」第4章の誤植訂正
  • 光と磁気第4章4.3についての質問
  • 「光と磁気(改訂版)」付録Cの式の導出
  • 光バイアス依存性(薄膜シリコン太陽電池の分光感度)
  • 光反射特性(金属とセラミックスの違い)
  • 光ファイバ(レイリー散乱)
  • 光変調器(強誘電体)
  • 非局所配置(純スピン流)
  • 微細規則配列格子
  • 非磁性の絶縁体(ファラデー効果)
  • ヒステリシス(カー楕円率による)
  • ヒステリシス損失の熱化メカニズム
  • 非接触
  • 非線形カー効果転
  • 非線形屈折率(水の)
  • 非線形光学特性の評価法
  • 非線形磁気光学
  • 非線形性(豆電球の)
  • 非線形磁気光学テンソル
  • 非線形回路(重ね合わせの理が成立しない理由)
  • 非線形分極率と2光子吸収との関係
  • ビッカース硬度(窒化珪素,酸化珪素,バナジウム)
  • 比抵抗(グラファイトの)
  • 比抵抗(シリコンの高温における)
  • 比透磁率(塩化ビニール)
  • 比透磁率(CRS1010)
  • 比透磁率(プラスチック)
  • 比透磁率と比誘電率(銅とエポキシ)
  • 比透磁率(膜厚依存性)
  • 比熱
  • 比熱(磁性体)
  • 比熱(温度依存性(水の))
  • 比熱(複合材料)
  • 比熱(プロピレングリコール)
  • ピニング効果(磁壁)
  • 非破壊検査(電磁波による)
  • 非平衡結晶成長(MBE)
  • 非放物線パラメータ(Geの)
  • 微分スペクトル(分光分析における)
  • 比誘電率
  • 比誘電率と比透磁率(銅とエポキシ)
  • 比誘電率の小さな物質
  • 標準白色板を参照試料とした分光反射率測定
  • 標準電極電位(金より高い標準電極電位をもつ金属)
  • 表皮効果と金属の反射
  • 表皮効果とリアクタンス
  • 表皮効果のシミュレーション
  • 表面エネルギー
  • 表面プラズモン(金属薄膜の)
  • 表面温度測定(LED照明された透明アクリル板)
  • 表面張力(金属)
  • 表面張力(軟鋼)
  • 表面電位(液晶の)
  • 表面プラズモン共鳴(Mie散乱と)
  • 表面プラズモン分散式
  • 表面プラズモン励起
  • 表面プラズモンとエバネッセント波の結合
  • 表面プラズモンとエバネセント波
  • 表面プラズモン増強とエネルギー保存則
  • 表面プラズモン共鳴(バイオセンサー)
  • 表面プラズモンとブリュースター条件
  • 表面プラズモンを理解するための本
  • 表面プラズモン共鳴(ロッド形微粒子分散系)
  • 微粒子(消磁効果)
  • ファラデー効果(中赤外域の)
  • ファラデー効果(異方性物質の)
  • ファラデー効果(ガラス, 測定)
  • ファラデー効果(溶液の)
  • ファラデー効果はなぜ起きる
  • ファラデー楕円率(磁化に比例するか)
  • ファラデー効果(磁区像と磁壁)
  • ファラデー効果(光学遅延変調法)
  • ファラデー効果(非磁性の絶縁体)
  • ファラデーの電磁誘導の法則について
  • フィードバック回路
  • フェムトアンペア(fA)より小さな電流の測定法
  • フェライトガーネットについて
  • フェリ磁性体(磁化率)
  • フェルミエネルギー
  • フェルミ準位(半導体のフェルミ準位はなぜ禁制帯の真ん中に来るか)
  • フェルミディラック分布
  • フォトダイオードについて
  • フォトダイオード(受光領域)
  • フォトダイオード(量子効率)
  • フォトニック結晶(光局在)
  • フォトニック結晶(磁性)
  • フォトニック結晶の解析(FDTD法)
  • フォトルミネッセンス(フラーレン[C60]単結晶)
  • フォトルミネッセンス(酸化亜鉛[ZnO])
  • フォノン閉じ込めモデルによるラマン散乱スペクトル
  • 深い不純物準位のある場合のアバランシェ現象
  • 複合材料(半導体金属)
  • 複合材(木粉と樹脂の)の処分法
  • 複合材料(比熱)
  • 複屈折(異方性結晶中の光の伝播)
  • 複屈折(サファイヤ板)
  • 複素数の屈折角(斜め入射の反射)
  • 複素屈折率(金及び銀)
  • 複素屈折率(金属)
  • 複素誘電率とクラウジウス・モソッティの式
  • 複素屈折率(磁気光学)
  • 複素屈折率(Si, GaAs)
  • 複素屈折率(タングステン)
  • 複素屈折率(チタンの)
  • 複素屈折率(鉄、アルミ、銅の)
  • 複素誘電率
  • 腐食(7075アルミニウム合金の焼鈍後の)
  • 不純物準位計算法
  • フタロシアニンの昇華温度
  • 豚レバー(赤外分光特性)
  • フッ化アルミと酸化アルミについて
  • 物性値を変化できるか(物質が同じでも条件によって)
  • 不定比性の定量(酸化物焼結体における酸素の)
  • 不動態皮膜(耐酸性と導電性の両立)
  • 不動態の抵抗(ステンレスの)
  • 不動態膜(化学処理後の高濃度ドープシリコン)
  • 物性値(ナノ領域への適用限界)
  • 負の磁気抵抗効果
  • 負の消光係数(仮想屈折率法における)
  • 負分散ミラー
  • フラーレンポリマー(バンドギャップ)
  • プラズマCVD(チャンバークリーニング)
  • プラズマ温度(RFマグネトロンスパッタ装置)
  • フラットパネルディスプレイと無機材料
  • フラットバンド条件の導出法
  • フラットバンド電圧(MOSFET)
  • ブラウン管(振動)
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  • プラスチック(比透磁率)
  • プラズマエンハンスメント
  • 表面プラズモン共鳴(Mie散乱と)
  • プラズマ振動数(金属の吸収端と)
  • プラズマ周波数(Cr)
  • プラズマポテンシャルとセルフバイアス
  • プラズモン(金属多層膜の)
  • プラズモン(サブバンド間)
  • プラズモン(電磁波との結合)
  • プラズモン(電場増強効果とステンドグラスの色)
  • プラズモン(バンド間遷移)
  • プラズモン振動数について
  • プラズモン共鳴センサー(摩擦に強い)
  • プラズモン励起(金属微粒子)
  • プラズモン励起について
  • プラズモンとエバネセント波
  • プラズモン増強とエネルギー保存則
  • プラズモン(と有機EL)
  • フラットバンド電圧の評価法(MOSFET)
  • フラットバンド評価法(MOS-FET、低温)
  • プリズム(回折格子と)
  • フラーレン[C60](単結晶のフォトルミネッセンス)
  • ブリルアン領域
  • フロロシリコン
  • ブリュースター角(TM入射光に対する)
  • ブリュースター条件(表面プラズモンと)
  • プロピレングリコール(密度と定圧比熱)
  • フロロシリコン(耐溶剤性)
  • 分画(PCBの)
  • 分極と光学遷移
  • 分光感度の光バイアス依存性(薄膜シリコン太陽電池)
  • 分光測定(水を含んだ物質)
  • 分光測定の問題(UV-LED)
  • 分極率の高エネルギー側のふるまい
  • 分光光度計(石英セル)
  • 分光反射率測定(標準白色板を参照試料とした)
  • 分光分析における微分スペクトルについて
  • 分散(と群速度)
  • 粉末試料の熱膨張係数
  • 平均自由行程(CVDラジカルの)
  • ベーテ・スレータ曲線について
  • ヘリウム(空気への拡散)
  • ヘリウムリークディテクター(ヘリウムの検出原理)
  • ペロブスカイト型酸化物(物性変化の定性的説明)
  • 変位電流(準定常電流近似と)
  • 変換効率の導出法(太陽電池)
  • 偏光子(二色性)
  • 偏光状態(1/4波長板の)
  • 偏光性(拡散反射の)
  • 偏光性(傾けたガラス板)
  • 偏光板の劣化について,
  • 偏光板とヨウ素
  • 変色防止(ポリウレタン)
  • 変色防止(ポリウレタン)[#896へのコメント]
  • ポリロンフィルム(熱伝導率)
  • HoFeO3の相転移温度
  • ホイップクリーム状になる理由(混合攪拌時に)
  • 質問#1125(ホイップクリーム状になる理由)へのコメント
  • ボイド(ショットキー障壁高さへの影響)
  • 防音継ぎ手(音響伝搬特性)
  • 方向性鋼板の磁区観察
  • 放射率(YIGの)
  • 放射率(遠赤外線)
  • 放射率(窒化ガリウム[GaN]の)
  • 放射率(ポリ塩化ビニール)
  • 放射率(ポリスチレンの)
  • 宝飾用合金(反射率)
  • 宝石
  • 飽和磁化(ニッケル亜鉛フェライトの)
  • 飽和磁化モニター(縦カー効果)
  • 飽和磁束密度(鉄ニッケル(Fe-Ni)合金)
  • 飽和水蒸気量(アルゴンガスの)
  • 琺瑯ステンレス
  • 1372.棒状試料の保磁力の長さ依存性
  • ポテンシャル(結晶中の)
  • ホトニックバンドギャップ
  • ホッピング伝導とトンネル伝導
  • 骨(透磁率)
  • ポーラス酸化亜鉛の発光
  • ポラリトン(物理的描像)
  • ポリウレタン(変色防止)
  • ポリウレタン(変色防止)[#896へのコメント]
  • ポリウレタン(チューブからの溶出)
  • ポリエステル糸(熱伝導性のよい)
  • ポリエチレンの比誘電率
  • ポリエチレンの誘電率(2)
  • ポリ塩化アルミ溶液の比熱
  • ポリ塩化ビニール(放射率)
  • ポリスチレンの放射率
  • ポリブタジエンの伸縮性
  • ポリマーの色と電気伝導
  • ボルタ電池(電子が移動するのか)
  • ボルタ(電池の出力をどうやって確認したか)
  • ポワソン比(アルミ鋳造合金の)
  • ポワソン比ヤとング率(塩化ビニール)
  • ポワソン比(SUS404)
  • ボンディング(アルミ線と銅フレームとの)
  • マ行

  • マイカ(熱不安定性)
  • マイカから発生する白色の煙
  • マイクロ波焼結(金属材料の)
  • マイクロ波加熱(炭素の)
  • マイクロ波反射率(アルミ板)
  • マイクロ波誘電率(温度係数)
  • マイクロ波誘電率と誘電損失(シリコンと酸化チタン)
  • マイクロ波特性(ルチルとアナターゼのちがい)
  • マイクロ波領域の半波長板
  • 摩擦に強いプラズモン共鳴センサー
  • 摩擦力(スーパーボールがドアの動きを止める)
  • マルテンサイト量の評価(ステンレスにおける)
  • マルテンサイト体積率測定(放射線による)
  • マンガン5ゲルマニウム3(Mn5Ge3)の選択エッチング
  • マンガンシリサイドMnSi1.7の格子定数の決定法
  • マンセル明度(と反射率)
  • 曲げ応力(シリコンの)
  • 豆電球の非線形性
  • Mie散乱と表面プラズモン共鳴
  • 身近にある磁性材料
  • 水(紫外線の減衰)
  • 水の紫外線吸収
  • 水の配向とフォノンの関係(ハイパーラマン散乱)
  • 真空中での水の凝固(真空中での)
  • 水(赤外吸収)
  • 水の粘性(温度変化)
  • 水の比熱の温度依存性
  • 水を含んだ物質
  • 水の誘電率
  • 水分子の結合角
  • 密着性(基板と導電体の)
  • 密着メカニズム(蒸着における母材と金属の)
  • 密度(鉄・銅・真鍮)
  • 密度(鉛)
  • 密度(プロピレングリコール、定圧比熱と)
  • 密度汎関数理論とバンドギャップ
  • ミュラー行列(円二色性の)
  • ミラー材料(燃焼管内で使える)
  • ミリ波(誘電損失)
  • 無機材料(フラットパネルディスプレイ)
  • 無酸素銅(機械的特性)
  • 明度と反射率(マンセル)
  • メチルジフェニルイソシアネート合成のための反応器の材質
  • めっき材と被めっき材の抵抗
  • メッキの酸化(ニッケル)
  • MOSFET(フラットバンド電圧の評価法)
  • MOS-FET(低温のフラットバンド評価法)
  • MOSのC-V特性におけるヒステリシス
  • MOS容量(計算式の導出法)
  • モース硬度をショアー硬度に換算出来るか
  • モスアイ構造(反射防止)
  • 木粉と樹脂の複合材(処分法)
  • モーメントの問題
  • モワレ縞
  • モジュラージャックの材料
  • モリブデンの光学定数
  • モリブデンの反射率
  • モリブデン焼結体の粒径
  • モル吸光度から屈折率を求める
  • ヤ行

     

     

  • ヤング率(一般炭素鋼、高温)
  • ヤング率(鋼材の熱処理による変化)
  • ヤング率(アルミ鋳造合金)
  • ヤング率(塩化ビニール)
  • ヤング率とポワソン比(塩化ビニール)
  • ヤング率(SUS404)
  • ヤング率(GaN)
  • ヤング率(コランダム:温度依存性)
  • ヤング率(シリコン,温度依存性)
  • ヤング率、ポアソン比(チタン酸バリウムストロンチウム(Ba0.7Sr0.3)TiO3
  • ヤング率Eの低下(強磁性体の凾d効果)
  • ヤング率(Ta2O3)
  • ヤング率(鉛フリーハンダ)
  • ヤング率(鉛フリーはんだAuSn4)
  •  
  • 有機ELについて
  • 融解潜熱と気化潜熱(水の)
  • 有機EL(とプラズモン)
  • 有機EL材料(LUMOが2.3eV以下、HOMOが6eV以上の)
  • 有機材料(酸素透過率)
  • 有効質量
  • 有効質量(Si半導体中の電子)
  • 誘電泳動現象
  • 誘電関数(シリコン[Si]の)
  • 誘電正接の大きな素材
  • 誘電体(吸収の原因)
  • 誘電率(ナノスケール・シリコン)
  • 誘電体(光の伝搬)
  • 誘電体(を含むコンデンサ)
  • 誘電特性(カーボンブラックの)
  • 誘電率(εr)と損失角(tanδ)(グラファイトの)
  • 誘電率(ITO)
  • 誘電率(アルミニウム)
  • 誘電率(In2O3)
  • 誘電率(ウイレマイト)
  • 誘電率(強誘電体)
  • 誘電率(金属)
  • 誘電率の温度依存性(金属)
  • 誘電率(金属、低周波)
  • 誘電率(空気と水)
  • 誘電率(水蒸気)
  • 誘電体(絶縁性)
  • 誘電率の温度依存性(セラミックス)
  • 誘電率(水の)
  • 誘電率(水、氷、雪)
  • 誘電率(酸の水溶液の)
  • 誘電率(周波数分散)
  • 誘電率(二酸化珪素と炭素)
  • 誘電率(薄膜;光学的決定法)
  • 誘電率(半導体)
  • 誘電率(BaTiO3多結晶の)
  • 誘電率(Bi2Te3の)
  • 誘電率(複素)
  • 誘電率(濃度との相関)
  • 誘電率(濃度との相関)コメント
  • 誘電率(ポリエチレン)
  • 誘電率(ポリエチレン;2)
  • 誘電率(マイクロ波)の温度係数
  • 誘電率(メカニズム)
  • 誘電率(硫化銀)
  • 誘電率(有機溶媒;周波数分散)
  • 誘電損失(なぜ生まれるか)
  • 誘電損失(ミリ波)
  • 誘電損失(カーボン粒子を含むゴム)
  • 夕日の色
  • 夕日の色の謎
  • 輸送中の磁化(鉄製シャフトの)
  •  
  • 溶液のファラデー効果
  • 溶解度ギャップと臨界温度
  • 溶解度(水へのシロキサンの)
  • 溶接時の反り(アルミニウム)
  • 溶接影響部の靱性
  • 容量ー電圧特性(MIM構造)
  • 42合金への銀メッキ 
  • ラ行

  • ラスティーボルトエフェクト
  • ラマン散乱(解釈)
  • ラマン散乱(結晶歪みの評価)
  • ラマン散乱(シリコン)
  • ラマン散乱と赤外吸収(反転対称のある系)
  • ラマンスペクトル(半導体ドーピングと)
  • ラマン散乱(フォノン閉じ込めモデル)
  • ラマン分光のベースライン
  • ランダウ準位から電子を取り出すエネルギー
  • ランダム配列(規則配列はなぜ安定か)
  • ランダム偏光から円偏光
  • ランプ加熱(シリコンウェハ)
  • リーク(配管)の許容値
  • リサイクルできるか(ナイロン製品を液体燃料に)
  • 裏面反射
  • 硫化(断線)
  • 硫化亜鉛(銅添加)ZnS:Cu2+(電荷移動による光吸収構造)
  • 硫化銀(誘電率)
  • 硫化銀被膜(銀接点に生じる)
  • 硫酸銅水溶液をビタミンCで還元したときの色
  • 粒子性(光)
  • 粒子の運動量(1次元の箱に閉じこめられた粒子)
  • 量子効率(フォトダイオード)
  • 量子力学の質問
  • リンゴの色(と金属の色)
  • リンゴ(なぜ赤い)
  • ルチル(マイクロ波特性;アナターゼのちがい)
  • ルビー(R1線の圧力効果の配位子場理論による説明)
  • ルビー・サファイアの蛍光
  • ルビー・サファイアの電気伝導
  • ルミネセンス(磁場誘起)
  • レーザ誘起蛍光(LIF)法[酸化亜鉛PLD過程の解析]
  • 励起子吸収(バンドギャップ推定)
  • 励起子発光
  • 励起子ポラリトン
  • レイリー散乱
  • レーザ高調波のスペクトル幅
  • レジスト回転塗布と広がり方
  • レジンコンクリートの耐火温度
  • レポート
  • 路面反射(近赤外線の)
  • ろう材(熱伝導率)
  • 六方晶サファイヤ(結晶面の名称)
  • ロングパスフィルタ(遠赤外線)
  • ワ行

     

     

     

     

  • YIGと反射膜
  • YIG(放射率)
  • YIG(コバルト置換)
  • ワイヤグリッド偏光子  
  •     


    英文・元素記号索引

    ABCDE
    FGHIJ
    KLMNO
    PQRST
    UVWXY
    Z    
    A
  • Al(板のマイクロ波反射率)
  • Al(板の反り)
  • Al(板上でのネオジム磁石の運動)
  • Al(空気中に放置した塊の温度)
  • Al(合金の焼鈍後の腐食)
  • Al(酸化被膜の耐食性)
  • Al(蒸着膜の反射率:クロムとの比較)
  • Al(焼鈍材と圧延材)
  • Al(スチール缶と)
  • Al(線の銅フレームとのボンディング)
  • Alの熱伝導率測定
  • Al(線膨張係数)
  • Al線(皮膜で固定した場合の熱膨張と線膨張)
  • Al(鋳造合金のポワソン比)
  • Al(低温成膜Alの物性)
  • Al(電気特性の面積による違い)
  • Al(パイプ)
  • Al(薄膜の応力緩和速度)
  • Al(反射率)
  • Al(反射率の入射角による変化)
  • Al(反射率のディップ)
  • Al(高い反射率の起源)
  • Al(堆積温度による薄膜の物性の違い)
  • Al(誘電率)
  • Al(UV反射率)
  • Al(棒加工後の変形)
  • Al(見分け方)
  • Al(容器での尿素の保存)
  • Al(溶接時の反り)
  • Al合金(音響異方性)
  • Al合金(仕事関数)
  • Al合金(薄膜、許容電流密度)
  • Al合金(物性値の温度依存性)
  • Al-Cu合金(鋳造の際の成分の偏り)
  • AlGaAs(GaAsよりAs抜けが起きやすいか)
  • γAl2O3(の硬度)
  • Al2O3(レーザー加工)
  • Al2O3基板上にエピタキシャル成長したZnOの結晶性
  • Al2O3(基板と銅との接合)
  • Al2O3(CrやTiドープ, 蛍光)
  • Al2O3(サファイア)(エッチャント)
  • Al2O3(サファイア)(850℃までの高温特性)
  • Al2O3(サファイア)(単結晶のX線回折)
  • Al2O3(サファイヤ)板(複屈折)
  • Al2O3(nとk)
  • a-Si:H(吸収端)
  • a-Si:H(光化学)
  • a-Si:H(pinダイオードのI-V特性)
  • a-Si:H(活性化エネルギー)
  • amorphous半導体(キャリア濃度)
  • amorphous太陽電池のpin構造
  • amorphous-likeな構造(絶縁性)
  • amorphous→結晶相転移(DVD)
  • amorphous Al2O3(アルミ酸化膜の耐食性)
  • As空孔の電子描像(GaAsの)
  • ATO(熱線遮断塗料)
  • ATR法(FTIR分析に最適なプリズム)
  • AuSn4(ヤング率)
  • Au2O3
  • B
  • BaFe12-2xCoxTixO19(磁気物性)
  • BaTiO3(多結晶の比誘電率)
  • BaTiO3(薄膜研究の意義)
  • BaTiO3、CaTiO3(バンドギャップ)
  • Ba0.7Sr0.3)TiO3(ヤング率、ポアソン比)
  • C
  • CDの虹色
  • α-Coとβ-Co
  • C粒子(を含むゴムの誘電損失
  • C(グラファイト)物性値
  • C(赤外透過率)
  • CdS, SrTiO3, KTaO3, LiTaO3のバンド端の電子軌道
  • CeB6(熱線遮断塗料)
  • CNT(磁気エネルギー)
  • Cの付着と剥離
  • Co(αとβ)
  • Co-Cr膜(イオン照射した膜のMsとTcの変化)
  • CoCrPt(磁気光学スペクトル)
  • Co-Fe-Ni(なぜ磁石の材料になる)
  • Co:YIG
  • CO2レーザ集塵(アクリル回収率)
  • CIS太陽電池におけるCdSの役割
  • CRS1010(比透磁率)
  • CVDと真空
  • CVDラジカルの平均自由行程
  • CVD膜のエリプソメトリ
  • Cの性質
  • Cの加熱(電子レンジによる)
  • Cの加熱(マイクロ波加熱)
  • 「Cのマイクロ波加熱」(Q179)への質問
  • Cの物性値(グラファイトカーボン)
  • CrやTiドープのAl2O3の蛍光
  • CuとAl2O3基板の接合
  • Cuの抵抗率(液体ヘリウム温度における)
  • CO2の自然界での分解
  • C60(単結晶のフォトルミネッセンス)
  • Cu. Al2O3)基板の接合)
  • Cu(抵抗率.液体ヘリウム温度における)
  • Cu2O(熱処理による抵抗変化)
  • D
  • DSC曲線(シリコーンオイル)
  • DVD-RAM記録層はAFMで観察できるか
  • DVD-RAM材料の結晶工学
  • E
  • EL(有機)
  • emu/g(μBへの換算)
  • EPMA分析(焼結体)
  • Erの発光機構(酸化ゲルマニウム中の)
  • Eu(Ga2O3中, 炭素を用いた還元)
  • eV(温度への変換)
  • F
  • FCD450,SCM440の物性値
  • Fe(固有振動数)
  • Fe(相変態)
  • Fe,Ni,Co(なぜ磁石の材料になる)
  • Fe(磁石の導電性)
  • Fe(スパッタ膜)
  • Fe(バルクと薄膜の磁化の差異)て
  • Fe-Al(金属間化合物の物性値)
  • Fe2Al5(金属間化合物の磁気特性)
  • Fe-Al(合金の結晶構造)
  • Fe-Niの飽和磁束密度
  • Fe,Cu,Cu-Znの密度
  • FEDの封止法
  • FDTD法(フォトニック結晶の解析)
  • FTIR分析(ATR法に最適なプリズム)
  • G
  • GaAs(光学定数)
  • GaAs(電子線励起プラズマの光学的観察)
  • GaAs(ドーパント)
  • GaAs(砒素空孔の電子描像)
  • GaAs(ホール伝導の異方性)
  • GaAs, Si(複素屈折率)
  • Ga2O3中のEu(炭素を用いた還元)
  • GaN(抵抗率の基板による違い)
  • GaN(LEDをフォトダイオードとして使用したとき600nm光に感度があるか)
  • 質問#1061「GaNの抵抗率の基板による違い」へのコメント
  • GaN(放射率)
  • GaN(ヤング率)
  • GaN(p型, オーム性接触)
  • GaN (Mgドープ)
  • H
  • HoFeO3の相転移温度
  • I
  • IH加熱に適した鍋材
  • IH土鍋(銀ペースト)
  • IH鍋
  • IH鍋と銀ペースト
  • IPSモード(液晶ディスプレー)
  • ITO(エッチャント)
  • ITO(可視光の透過性)
  • ITO(キャリア密度と反射率)
  • ITO(金属との密着性)
  • ITO(銀ペーストの界面の不具合)
  • ITO (結晶構造)
  • ITO(格子定数のスズ濃度依存性)
  • ITO(酸化亜鉛薄膜の基板としての)
  • ITO(色素増感太陽電池電極としての)
  • ITO(仕事関数)
  • ITO (成膜条件と物性値の関係)
  • ITO(導電率,誘電率,透磁率)
  • ITO(特性改善)
  • ITO(面抵抗変化)
  • ITO(熱処理と着色)
  • ITO (熱伝導率)
  • ITO(熱膨張係数)
  • ITO (溶解)
  • J

    K

    L
  • La-BaZrO3のドーピング
  • LEDの発光の原理
  • LED(紫外線340nmの)
  • LED(白色)
  • LED(チップの機械的強度測定法)
  • LED用光ガイド(プラスチックで作りたい)
  • LIF法[酸化亜鉛PLD過程の解析]
  • LiNbO3の物性値
  • LiNbO3, LiTaO3(仕事関数)
  • LSC を用いた試料測定の際の減衰率
  • LSI
  • LS多重項に1F、1Pが現れないわけ
  • M
  • MBE(なぜ非平衡結晶成長なのか)
  • MgOをトンネル障壁に使うとTMRが増大する理由
  • Mie散乱と表面プラズモン共鳴
  • MI(磁気インピーダンス)効果
  • MIM構造(容量ー電圧特性)
  • Mn5Ge3(選択エッチング)
  • MOD成膜したPMNZTの表面モルホロジー
  • MOSFET(フラットバンド電圧の評価法)
  • MOS-FET(低温のフラットバンド評価法)
  • MOSのC-V特性におけるヒステリシス
  • MOS容量(計算式の導出法)
  • Mo(光学定数)
  • Moの反射率
  • Mo焼結体の粒径
  • MOディスク
  • MPB(PZTの)
  • N
  • NaCl(結晶と不純物)
  • NaCl(価電子帯と分子軌道)
  • NOT回路についての疑問
  • O

    P
  • Pb(密度)
  • Pbフリーハンダ(ヤング)
  • PCB分画(処理法)
  • Pt黒
  • Pt(なぜ自由電子の散乱寿命は短いのか)
  • PEMを用いた磁気光学測定における楕円率の膜厚依存性
  • PEMを用いた縦カー効果測定のセットアップ
  • PLD過程[酸化亜鉛;レーザ誘起蛍光(LIF)法による解析]
  • PMMA(斜め入射反射率)
  • PMMAの吸光係数
  • PMMAへの金属薄膜の成膜について
  • PMNZT(MOD成膜)の表面モルホロジー
  • pn接合(拡散電位; 電池として利用できるか)
  • pn接合(光電流)
  • pn 接合ダイオード(順方向電流-電圧特性)
  • pnダイオードの抵抗制限電流領域
  • p形半導体(キャリア密度の温度変化)
  • p型GaN(オーム性接触)
  • PVC(放射率)
  • PVC樹脂の物性
  • PZTのエッチャント
  • PZT(MPB(相境界)の結晶構造と物性)
  • PTFEとタンタル(耐食性の比較)
  • Q

    R

    S
  • SCM440,FCD450の物性値
  • Si-Alコンタクト
  • Si(インゴットのρb値の計算法)
  • Si(ウェハーの赤外線スペクトル)
  • Si(硬さ)
  • Si(基板上の金属膜の加熱)
  • Si(屈折率)
  • Si(屈折率と消光係数)
  • Si(形態の違うSiの物性値)
  • Si(結晶とアモルファスの活性化エネルギー)
  • Si(研削粉のpn分離)
  • Si(研磨発生時の物質の処理)
  • Si(光伝導スペクトル)
  • Si(純度)
  • Si(1000℃における物性値)
  • Siの量(太陽電池作製に必要な)
  • Si(直接バンドギャップ)
  • Si(ドーピングによって色は変わるか)
  • シリコン[Si](単結晶の線膨張係数)
  • Si(化学処理後の高濃度ドープシリコンに見られる不動態膜)
  • Siと石英ガラス(破壊靱性度)
  • Si/SiO2/air構造における発光の反射
  • Si(光の吸収係数)
  • Si(高温における比抵抗)
  • Si(と同等の熱膨張をもつ金属)
  • Si(熱酸化膜形成によるシリコンの消費)
  • Si(酸化厚膜の用途)
  • Si, GaAs(複素屈折率)
  • Si(マイクロ波誘電率と誘電損失)
  • Si(曲げ応力)
  • Si(誘電関数)
  • Si(ラマン散乱)
  • Si(ランプ加熱)1
  • Si(ランプ加熱)2
  • Siウェハ(ランプ加熱)
  • Si/Al(I-V特性)
  • SiN(硬度)
  • SiN,SiO2,V(ビッカース硬度)
  • SiN(合成法)
  • Sbの拡散(SiO2への)
  • SiO2(Sbの拡散)
  • SiO2(エネルギー準位図)
  • SiO2(弾性)
  • SiO2とCの誘電率
  • T
  • TaとPTFE(耐食性の比較)
  • Taの仕事関数
  • Ta2O5薄膜
  • TiC(格子定数)
  • Ti-Ni形状記憶合金(状態図)
  • Ti(屈折率)
  • Ti(複素屈折率)
  • TiC(格子定数)
  • TiC(の組成比と格子定数)
  • Ti-Cr-Sb系の顔料
  • TiやCrドープのAl2O3の蛍光
  • TiO2粉末(熱処理による色の変化)
  • TEM波(導波管にを入射するとどうなるか)
  • TEM 波と静電磁界
  • TMR(MgOをトンネル障壁に使うとTMRが増大する理由)
  • U
  • UV-LEDの分光測定の問題
  • UV-LEDの光軸の見つけ方
  • V

    W
  • W(複素屈折率)
  • X
  • X線回折(シリコンの200禁制反射)
  • X線(回折の消滅則)
  • X線(混相の回折)
  • X線(吸収)
  • X線(金の吸収端)
  • X線(吸収端の定義)
  • X線(結晶解析)
  • X線(侵入深さ)
  • X線回折(XRD)の配向性とは
  • X線回折実験(Moを使う理由)
  • X線(と光の透過)
  • X線(なぜ人間の内部を通り抜けるか)
  • XPSのピークシフト
  • Y
  • YIGと反射膜
  • YIG(放射率)
  • YIG(コバルト置換)
  • Z
  • Zn(光吸収係数)
  • ZnMn2O4(正スピネルか逆スピネルか)
  • ZnO(圧電性)
  • ZnO(A励起子)
  • ZnO(n型の起源)
  • ZnO(自由励起子発現の機構)
  • ZnO[LIF法によるPLD過程の解析]
  • ZnO(赤外吸収)
  • ZnO(透明導電膜)
  • ZnO(薄膜の応用性)
  • ZnO(フォトルミネッセンス)
  • ZnO[ポーラス](発光)
  • ZnOの光化学反応成長のための基板について
  • ZnS:Cu2+の電荷移動による光吸収構造について
  • 物性なんでもQ&Aメインテキストに戻る
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