●半導体の不思議
講義のＱ＆Ａより
半導体とは
電子構造と物性
結晶工学、
結晶成長
シリコンの精製
プロセス、
加工
半導体デバイス
なんでもＱ＆Ａより
非接触でｐｎを測るには？
キャリア濃度
フェルミディラックの分布
●シリコンの不思議
なんでもＱ＆Ａより
電気的性質
シリコン([Si]マイクロ波誘電率と誘電損失)
シリコン[Si](高温における比抵抗)
シリコン[Si](インゴットのρb値の計算法)
光学的性質
シリコン[Si](ウェハーの赤外線スペクトル)
シリコン[Si](屈折率)
シリコン[Si](屈折率と消光係数)
シリコン[Si](光伝導スペクトル)
シリコン[Si](Si/SiO2/air構造における発光の反射)
シリコン[Si](光の吸収係数)
シリコン[Si](誘電関数)
結晶工学・プロセス
シリコン[Si](基板上の金属膜の加熱)
シリコン[Si](研削粉のｐｎ分離)
シリコン[Si](研磨発生時の物質の処理)
シリコン[Si](純度)
シリコン[Si](1000℃における物性値)
シリコン[Si](太陽電池作製に必要な量)
シリコン[Si](化学処理後の高濃度ドープシリコンに見られる不動態膜)
シリコン[Si](酸化厚膜の用途)
シリコン[Si](熱酸化膜形成によるシリコンの消費)
シリコン[Si](ランプ加熱)1
シリコン[Si](ランプ加熱)2
機械的・熱的性質
シリコン[Si](硬さ)
シリコン[Si](単結晶の線膨張係数)
シリコン[Si](と石英ガラスの破壊靱性度)
シリコン[Si]（と同等の熱膨張をもつ金属）
シリコン[Si](曲げ応力)
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●カーボンの不思議
なんでもＱ＆Ａより
物性一般
カーボン（グラファイト）物性値、
カーボンブラックと黒鉛の違い
グラファイト(ダイヤモンドとの違い)
グラファイトカーボン物性値、
炭素の性質、
炭素繊維（繊維方向に垂直の物性値）
電気的・磁気的性質
カーボン粒子(を含むゴムの誘電損失、
カーボンブラックの誘電特性
グラファイトの誘電率（εｒ）と損失角（tanδ）
炭素の加熱(電子レンジによる)、
炭素の加熱（マイクロ波加熱）
「炭素のマイクロ波加熱」(Q179)への質問
グラファイトの抵抗率
カーボンマトリックスとグラニュラー磁性体
炭素繊維複合材料の透磁率
光学的性質
カーボン(赤外透過率)
結晶工学・プロセス
カーボンの付着と剥離
カーボンブラック中の金属の除去法
機械的・熱的性質
カーボンブラックの濡れ性
グラファイト(高配向性)の硬さ
炭素鋼(熱膨張係数)
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●誘電体の不思議
講義のＱ＆Ａより
誘電体の基礎
キャパシタ
強誘電体
圧電効果
圧電現象と超音波
水晶振動子
液晶ディスプレイ
なんでもＱ＆Ａより
誘電泳動現象
誘電関数(シリコン[Si]の)
誘電正接の大きな素材
誘電体(光の伝搬)、
誘電体(を含むコンデンサ)
誘電特性(カーボンブラックの)
誘電率（εｒ）と損失角（tanδ）(グラファイトの)
誘電率(ITO)
誘電率(In2O3)
誘電率(ウイレマイト)、
誘電率(強誘電体)
誘電率(金属)
誘電率の温度依存性(金属)
誘電率(金属、低周波)、
誘電率(空気と水)
誘電体(絶縁性)
誘電率(水の)
誘電率(水、氷、雪)
誘電率(酸の水溶液の)
誘電率(周波数分散)、
誘電率(二酸化珪素と炭素)
誘電率(薄膜;光学的決定法)
誘電率(半導体)、
誘電率(BaTiO3多結晶の)
誘電率(Bi2Te3の)
誘電率(複素)、
誘電率(ポリエチレン)
誘電率(ポリエチレン;2)
誘電率(マイクロ波)の温度係数
誘電率(メカニズム)、
誘電率(硫化銀)
誘電率(有機溶媒;周波数分散)
誘電損失(なぜ生まれるか)
誘電損失(ミリ波)、
誘電損失(カーボン粒子を含むゴム)
比誘電率が大きいとは？
ZnOの圧電性について
液晶ディスプレー(1)、
液晶ディスプレー(2)、
液晶ディスプレーのIPSモード、
液晶表示(黒くなった)、
液晶の交流駆動
液晶の赤外特性、
液晶分子の配向(交流電場)
液晶の表面電位
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●物質の機械的・熱的性質（なんでもQ&Aより）
硬さ(ショアー)
硬さと延性
硬さ(シリコン)
硬さと濡れ性の関係について
硬さと反発係数
Birch-Murnaghan の状態方程式
スピネル構造の密度・硬度について
固体の熱膨張係数
金属の熱膨張係数
高熱伝導率材料
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