光物性工学 第8回プリント 佐藤勝昭教官 99.6.1
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satokats@cc.tuat.ac.jp Home page: http://www.tuat.ac.jp/~katsuaki/教科書:佐藤・越田著「応用電子物性」(コロナ社)
第7回の学習事項
光吸収スペクトルについて
直接遷移と間接遷移、シリコン:間接遷移型吸収端、GaAs:直接遷移型吸収端:
シリコンもバンドギャップより高い光子エネルギーに対しては直接遷移が見られる。
有効質量はE(k)曲線の曲率の逆数:k空間で緩やかに変化するバンドの有効質量は大. k空間で急に変化するバンドの有効質量は小
GaAsの伝導帯にはやや高いエネルギーの位置に有効質量の大きなサブバンドあり。→Gunn効果
第7回の問題:半導体のバンド構造をk空間で表すメリットについて述べよ。
[解答] 電子の波としての性質を表すのに波数kはよい量子数となっている。バンドギャップが間接遷移であるか直接遷移であるかを簡単に判定できる。有効質量の大小が判定できる。ガン効果を理解しやすい。
第7回のQアンドA
ω±2=C[(1/M1+1/M2)±{(1/M1+1/M2)2-4sin2(qa/2)/M1M2}1/2](2.28)となります。ここにqは格子振動の波の波数です。qが小さいときω-={C/(2(M1+M2))}1/2・aqとω+={2C(1/M1+1/M2)}1/2という2つの近似式となります。前者はq依存性があり音響モードと呼ばれます。ω/q=vですからこれより物質中の音速を計算できます。一方、後者はq依存性が弱く、光学モードと呼ばれています。
感想・印象
/やはりMaxwell, Schr
ödinger方程式は重要だと思う。厳しいこともどんどん言って欲しい。/自分でも感じていた大学生の学力低下について指摘されたのでとても苦しかった。自分なりに補足したい。/私は文系から来たので授業が難しくて悩んでいたが量子力学や電磁気学についての基礎を学んでいないので当然だと思った。与えられるのを待つのではなく、自分から勉強しようと思った。/3年になって危機感を持ち始めてからのお説教は刺激になる。/大変危機感を感じた。/基礎学力が重要であることを感じた。しかし専門と実験を同時に学ぶのは困難だ。/勉強する気になった。/毎回先生の説教を聞くたび勉強しようと思うが寝ちゃいます。/授業で使っている教科書を読み始めました。頑張って通読したい。/電気分野の基礎知識をもっと身につけなければならないと思った。/不安になった。/先生の意見は非常にためになった。自分たちの現状や就職事情に疎いのでもっと現実をたたきつけて下さい。/などの感想がありました。